Pb过量和种子层对PLZT薄膜的影响  

Effect of Excessive Pb and Seed Layer Thickness on the Microstructure of PLZT Thin Films

作　　者：刘立[1,2] 何剑[1,2] 张鹏[1,2] 王二伟[1,2] 胡磊[1,2] 丑修建[1,2] 

机构地区：[1]中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051 [2]中北大学电子测试技术重点实验室,山西太原030051

出　　处：《压电与声光》2017年第1期121-125,共5页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51422510;51175483;61401460)

摘　　要：采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备不同Pb过量(未过量、10%、15%)和引入不同厚度(0、100nm、500nm)锆钛酸铅(PZT)缓冲层的锆钛酸铅镧(PLZT)反铁电薄膜,通过原子力显微镜、X线衍射表征分析薄膜的微观结构。结果表明,过量10%的Pb组分有助于形成钙钛矿结构,获得较大的晶粒尺寸和理想的粗糙度;100nm的PZT缓冲层的引入有利于PLZT薄膜晶化,形成较致密、结晶状况良好的薄膜。The lead lanthanum zirconate titanate(PLZT)antiferroelectric thin film with different Pb excess(0%、10%、15%)and PZT buffer layer of different thickness(0、100nm、500nm)was deposited on Pt/Ti/SiO_2/Si substrates using Sol-Gel method,The microstructure properties of the PLZT thin film were studied with X-ray diffraction,atom force microscope.The results show that the 10% Pb excess has contribute to the formation of the perovskite structure,and the larger grain size and ideal roughness.The introduction of 100 nm PZT buffer layer is conducive to the crystallization of the PLZT thin film,which with a more compact and better crystalline state.

关 键 词：溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 钙钛矿结构 锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜 缓冲层. 

分 类 号：TN384[电子电信—物理电子学] TB34[一般工业技术—材料科学与工程]