作为加速器电子源的高量子效率K2CsSb光阴极制备工艺研究  

Research on Fabrication Recipe of High Quantum Efficiency K_2CsSb Photocathode

作　　者：谢华木[1] 王尔东 

机构地区：[1]核物理与核技术国家重点实验室,北京大学重离子物理研究所,北京100871 [2]布鲁克海文国家实验室,美国阿普顿纽约州11973

出　　处：《真空》2017年第1期63-66,共4页Vacuum

摘　　要：K_2CsSb光阴极具有10%左右的QE,可达数月的寿命,亚ps量级的响应时间,较低的本征发射度,因此成为高平均功率、高亮度电子源的首选。K_2CsSb光阴极广泛应用于高重频电子枪,如直流电子枪(Cornell),常温射频电子枪(LBNL),超导电子枪(BNL,HZB)等。为制备出稳定可重复长寿命具有较高量子效率的K_2CsSb光阴极,世界各大实验室均对K_2CsSb光阴极的制备工艺进行了大量的研究。本文详细介绍了K_2CsSb光阴极的制备设备及其制备工艺。The K_2CsSb photocathode has high QE（4-10%）, low intrinsic emittance and long lifetime, and was widely used in high average power and high brightness electron guns, such as DC guns（Cornell）, NCRF guns（LBNL）, and SRF guns（HZB, BNL, KEK, etc.）.Many laboratories have investigated in K_2CsSb photocathode fabrication technology to prolong lifetime and to improve quantum efficiency.This paper gave a defailed description on the deposition system and fabrication technology of K_2CsSb photocathode.

关 键 词：K2CsSb光阴极 量子效率 超高真空 电子枪 

分 类 号：TL53[核科学技术—核技术及应用]