美国伊利诺伊大学研究出GaN热管理新方法  

出　　处：《半导体信息》2016年第6期10-11,共2页Semiconductor Information

摘　　要：美国伊利诺伊大学研究团队在美国空军科学研究实验室青年研究人员计划的资助下,研究出一种简单、低成本的氮化镓（GaN）器件冷却方法,成果已发布在应用物理快报。研究背景GaN晶体管比传统硅晶体管功率密度更高,

关 键 词：美国空军 GAN 大学 热管理 硅晶体管 研究人员 科学研究 冷却方法 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]