抗辐射MRAM的外部程序存储器设计  

External Memory Design Based on Against-radiation MRAM

作　　者：谢妮慧 王淳[1] 何海燕[1] 

机构地区：[1]北京空间机电研究所,北京100094

出　　处：《单片机与嵌入式系统应用》2017年第4期46-50,共5页Microcontrollers & Embedded Systems

摘　　要：本文提出了一种基于MRAM的外部程序存储器设计方案,并以3D-PLUS公司的MRAM芯片3DMR2M16VS2427为例介绍了一种不需要进行文件格式的转换,采用通用扩展语言(GEL,General Extension Language)函数编制在线编程程序,通过DSP仿真器实现的外部存储器在线编程方法。In this paper, an external program memory design scheme based on MRAM is proposed, and taking the MRAM chip 3DMR2M16VS2427 of 3D-PLUS as the example,the external memory online programming method through the DSP simulator is introduced, which does not need file format conversion, uses the General Extension Language（GEL） function programming online program.

关 键 词：MRAM GEL 在线编程 仿真器 CCS 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]