集成功率NMOSFET的锂电池保护芯片关键技术研究  

作　　者：饶品涛[1] 鲍嘉明[1] 

机构地区：[1]北方工业大学电子信息工程学院

出　　处：《电子世界》2017年第6期109-110,共2页Electronics World

摘　　要：本文对于传统锂电池保护芯片中重要技术模块,进行了深层次的研究与优化。基于常规工艺设计了其中关键模块。本着以低功耗的理念,进行了整体电路的设计和实现。将传统芯片中含有的四个电压比较器结构,缩减为一个比较器实现四个电压比较功能的低功耗比较器模块。进一步优化功耗,在电路中加入两项非交叠时钟使电流比较器和电压比较器完成复用功能。另外,作为开关管的功率管的导通电阻优化方案,为节省成本通过优化版图结构完成功率管的导通电阻优化从而完成缩减版图面积的优化。

关 键 词：功率集成 锂电池保护 低功耗 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]