f_T/f_(max)>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs  

Ultralthin Barrier InAlGaN/AIN/GaN HEMTs with f_T/f_(max) > 230/290 GHz

作　　者：朱广润 张凯[1] 孔月婵[1] 

机构地区：[1]微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2016年第2期171-,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。南京电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层形成InAlGaN/AlN/GaN异质结构。

关 键 词：微波大功率 极化强度 电子迁移率 势垒层 HZ f_T/f MAX 异质结构 击穿场强 氮化镓 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]