低功耗CMOS带隙基准电压源设计  

Design of a Low Power CMOS Bandgap Voltage Reference

作　　者：黄灿英[1] 陈艳[1] 朱淑云[1] 吴敏[1] 

机构地区：[1]南昌大学科学技术学院,南昌330029

出　　处：《固体电子学研究与进展》2016年第3期245-248,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：江西省教育改革课题(JXJG-14-28-3;JXJG-14-28-1;JXJG-14-28-8);江西省教育厅青年科学基金项目(GJJ12165);江西省教育教学"十二五"规划课题(11YB452);南昌大学科学技术学院科研基金项目(Y00080)

摘　　要：从带隙基准原理出发,通过对传统的带隙基准电路中的反馈环路进行了改进,设计了一种带启动电路的带隙基准电压源。带隙基准电压源电路具有结构简单、功耗低、电压抑制比高以及温度系数低等特点。采用TSMC 0.13μm工艺对电路进行流片,管芯面积为100μm×94μm。测试结果显示,电源电压1V时,在-30~120℃范围内温度系数为6.6×10-6/℃,功耗仅1.8μW;电源电压从0.76V变化到2V,输出电压偏差仅1.52mV,电源抑制比达58dB。Based on the principle of bandgap reference,a low power bandgap voltage reference containing start-up circuit was designed.By improving the feedback loop,this bandgap reference was of simple structure,low power,high power supply rejection ratio(PSRR)and low temperature coefficient.The circuit with a size of 100μm×94μm was realized by TSMC 0.13μm technology.According to the test result,at 1 V supply voltage,from-30℃ to 120℃,the bandgap voltage reference circuit has a temperature coefficient of 6.6×10-6/℃and the power dissipation is only 2.8μW.When the supply voltage changes from 0.76 Vto 2V,the output voltage deviation is 1.52 mW,and the power supply rejection ration is 58 dB.

关 键 词：带隙基准 低功耗 高电源抑制比 温度系数 互补金属氧化物半导体 启动电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]