基于锗硅BiCMOS工艺的低噪声差分放大器设计  

Design of a Differential Lower Noise Amplifier Using SiGe BiCMOS Technology

作　　者：张华斌[1] 刘萍[1,2] 邓春健[1,3] 杨健君[1] 刘黎明[1] 陈卉[1] 王红航[1] 熊召新[4] 

机构地区：[1]电子科技大学中山学院,广东中山528402 [2]电子科技大学物理电子学院,四川成都610054 [3]电子科技大学计算机科学与工程学院,四川成都610054 [4]陕西理工大学物理与电信工程学院,陕西汉中723000

出　　处：《微电子学与计算机》2017年第5期35-39,共5页Microelectronics & Computer

基　　金：国家自然科学基金(11305031);广东省自然科学基金(S2013010011546);中山市科学事业费项目(2014A2FC379)

摘　　要：针对无线局域网前端接收机2.5GHz的应用,提出了一种硅锗工艺低噪声差分放大器.采用差分级联放大器结构既能抑制输入端的共模噪声信号,又能因级联结构的高增益而抑制电路的噪声,确保电路的高性能;同时选用JAZZ 0.35μm 1P4M锗硅BiCMOS工艺来制作.该放大器能有效地提供了50Ω输入阻抗匹配且具备良好的温度特性.在频点2.5GHz时,放大器的最大小信号电压增益为29.1dB,噪声系数1.3dB,输入/输出回波损耗都优于-11dB,输入3阶交调点为-0.24dBm.在直流电源电压3V供应下,低噪声放大器消耗电流为3.7mA.仿真结果表明,与其他文献相比,该放大器有更高的电压增益和更低的噪声,可以更加有效地应用于无线局域网及相关频点领域.A differential lower noise amplifier （LNA） for wireless local network （WLAN） in front-end receiver is presented, which is fabricated with a JAZZ 0. 35 gm 1P4M SiGe BiCMOS process. It can not only reject the common-mode noise signal in input port and but also depress circuit noise for using cascade topology, and realize its high performance. The LNA provides effectively a 50 El input impedance matching and good temperature characteristic. At 2.5 GHz, the LNA exhibits a maximum small signal voltage gain of 29. 1 dB, noise figure of 1.3 dB, input/output return loss better than --11 dB, and input IIP3 of - 0. 24 dBm, respectively. The LNA consumes 3. 7 mA from a 3. 0V IX; supply. The simulation results show that, in comparison with the other LNAs, this LNA has higher voltage gain, lower noise and more efficaciously be utilized in WLAN and related fields.

关 键 词：无线局域网 锗硅 BICMOS 低噪声放大器 

分 类 号：TN453[电子电信—微电子学与固体电子学] TN609