金属氧化物半导体气敏晶体的POISSON方程解及其应用(Ⅰ)  被引量:1

Solution and Application of the Poisson Equation for Metal Oxide Semiconductor Gas Sensing Crystals

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作  者:吕红浪[1] 

机构地区:[1]济南大学机械工程学院,山东济南250022

出  处:《济南大学学报(自然科学版)》2002年第2期115-116,120,共3页Journal of University of Jinan(Science and Technology)

摘  要:提出了用维数和未耗散系数表示的任意形状的金属氧化物半导体气敏晶体的无量纲化Poisson方程 ,并利用微扰法对Poisson方程进行了求解。The dimensionless Poisson equation described by dimension and undissipation coefficient for metal oxide semiconductor gas sensing crystals with an arbitrary shape is presented and solved by using the perturbation method. The convergence and the approximate expression of its solution are discussed and analyzed

关 键 词:微扰法 气敏晶法 Poisson方程解 

分 类 号:TN304[电子电信—物理电子学]

 

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