互补式金氧半(CMOS)集成电路的静电放电防护方法研究  

Research on electrostatic discharge protection method for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuit

作　　者：夏继军[1] 

机构地区：[1]黄冈职业技术学院,湖北黄冈438002

出　　处：《激光杂志》2017年第6期140-143,共4页Laser Journal

基　　金：2015湖北省软科学课题项目(2015SK0201)

摘　　要：在纳米CMOS集成电路中,静电放电(ESD,electrostatic discharge)防护能力随着组件的尺寸缩减而大幅地降低,传统的ESD防护电路设计及方法已不堪使用,所以在纳米制程中ESD防护组件的防护电路设计必需更加以改良。本文针对一个具有初始导通特性的片上(纯净)(already-on(native))NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor,N沟道金属氧化物半导体)组件,研究其ESD组件特性,提出了其在纳米CMOS集成电路上的创新应用,提出already-on(native)组件的全芯片ESD防护电路架构,设计了全新的ESD防护电路。In nano CMOS integrated circuit, the protection ability of ESD （ discharge electrostatic） has oeen great- ly reduced with the size of the components. The traditional ESD protection circuit design and method can not be used, so the protection circuit design of the nano scale ESD protection circuit design must be improved. In this paper, the characteristics of an ESD （native） NMOS （N） ESD （N-Metal-Oxide-Semiconductor） （already-on） （CMOS） are proposed. The new ESD protection circuit for already-on （native） is proposed.

关 键 词：CMOS集成电路 ESD防护 Already-on(native)NMOS组件 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]