ESD防护

作品数：89被引量：105H指数：5
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ESD防护设计技术在电子通信产品中的应用
《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》2025年第3期129-131,共3页陈裕楷 
静电放电(ESD)对电子通信产品可靠性的影响日益显著。本文在分析ESD防护设计技术研究现状和发展趋势的基础上,从电路板设计、设备外壳设计和生产环境设计三个方面,详细阐述了ESD防护设计技术在电子通信产品中的具体应用。针对未来电子...
关键词：静电放电 ESD防护 电子通信产品 
ESD防护仿真技术研究被引量：3
《安全与电磁兼容》2024年第1期38-45,共8页蒋云昊 陈奕鹏 朱信宇 高志良 程千钉 周黎 董树荣 
国家科技创新基金(2030-2021ZD0200401);北京东方计量测试研究所刘尚合院士专家工作站静电研究基金课题(BOIMTLSHJD20221003)。
静电放电(ESD)一直是电子产品的重大威胁,严重的还会造成芯片失效。在设计阶段需对芯片受ESD冲击后的耦合情况进行预测评估,并为芯片设计有效的ESD防护,实现系统级高效ESD设计(SEED)成为发展趋势。文章研究了瞬态抑制二极管(TVS)对静电...
关键词：静电放电 芯片失效 系统级ESD设计 瞬态抑制二极管 静电枪 
端口双向耐高压电路的ESD防护设计技术被引量：1
《电子与封装》2024年第1期35-39,共5页邹文英 李晓蓉 杨沛 周昕杰 高国平 
随着CMOS工艺的快速发展,集成电路多电源域设计越来越普遍,电路全芯片ESD设计也越来越复杂。介绍了一款基于0.35μm CMOS工艺的32路抗辐射总线接口电路的ESD设计技术。同时,对双向耐高压输入管脚的ESD进行加固设计,提高了芯片的抗ESD能...
关键词：双向耐高压 人体模型 多电源域 全芯片ESD 
基于UTB-SOI技术的双辅助触发SCR ESD防护器件研究
《微电子学》2023年第6期1109-1113,共5页张效俊 成建兵 李瑛楠 孙旸 吴家旭 
国家自然科学基金资助项目(61274080)
为了提高FDSOI ESD防护器件的二次击穿电流,基于UTB-SOI技术,提出了一种SOI gg-NMOS和寄生体硅PNP晶体管双辅助触发SCR器件。通过gg-NMOS源区的电子注入和寄生PNP晶体管的开启,共同辅助触发主泄放路径SCR,快速泄放ESD电流。TCAD仿真结...
关键词：全耗尽绝缘体上硅 静电放电 双辅助触发 二次击穿电流 
整车静电放电ESD测试问题分析整改
《汽车电器》2023年第8期73-74,共2页武晓宇 付国良 孙志颖 
整车在进行静电放电测试过程中出现仪表报错,车辆无法正常启动现象,通过对整车控制器的逐一排查以及对静电放电路径的分析,最终发现是某个控制模块通信芯片损坏,从而导致了整车通信异常,车辆无法正常启动,最终在其PCB板上增加ESD防护进...
关键词：整车静电放电 ESD防护 静电耦合路径 
集成电路ESD防护关键技术分析
《现代工业经济和信息化》2023年第4期248-250,共3页晁瑞辰 
在电子科技飞速发展的今天,人们已经不止局限于电子产品新功能的开发,而更注重于产品的质量、安全性以及其外形。在芯片的生产过程中,其工艺不断进步、提高,然而这却同时带来一个弊端,即芯片对于ESD防护能力的下降,因此针对这一情况,对...
关键词：集成电路 ESD防护 分析 
14nm FinFET工艺下栅隔离型二极管的ESD防护性能研究
《微电子学》2022年第5期915-920,共6页王俊 
当集成电路工艺进步到鳍式场效应晶体管(FinFET)技术节点时,二极管仍广泛用于输入/输出端口(I/O)的静电放电(ESD)防护工程,但二极管单位宽度鲁棒性比平面工艺有所降低。文章基于14 nm FinFET工艺,对栅隔离型二极管的失效电流(I_(t2))、...
关键词：鳍式场效应晶体管 静电放电 栅隔离型二极管 混合二极管 
液晶屏ESD防护解决方案
《中国电子商情》2021年第9期41-42,共2页《中国电子商情》编辑部 
最近雷卯电子EMC工程师接到很多同学关于液晶屏ESD失效的整改案例,其实非常建议电子工程师在设计时考虑ESD防护,这里做一个科普。静电的产生静电是一种客观存在的自然现象,产生的方式多种,如接触、摩擦、电器间感应等。静电的特点是长...
关键词：电子工程师 液晶屏 小电流 科普 自然现象 静电 客观存在 
射频电路ESD防护优化设计被引量：3
《微电子学》2021年第3期363-367,共5页彭雄 徐骅 刘韬 陈昆 乔哲 袁波 
重庆市技术创新与应用发展专项项目(CSTC2020JSCX-GKSBX0012)。
在0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,设计了三种射频端口的ESD防护电路。在不影响ESD防护能力的前提下,通过串联多级二极管,可以显著提高射频电路的线性度。通过在二极管通路中串联LC谐振网络和大电感,在显著降低射频端口ESD防护电路插入损耗...
关键词：射频电路 SiGe BiCMOS ESD防护 插入损耗 
深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计被引量：2
《电子与封装》2021年第5期56-62,共7页米丹 周昕杰 周晓彬 何正辉 卢嘉昊 
在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效应(SHE)的影响,其静电放电(ESD)防护器件设计成为一大技术难点。当工艺进入深亚微米技术节点,基于部分耗...
关键词：深亚微米 SOI工艺 自加热效应 ESD防护器件 栅控二极管 
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