面向MEMS红外光源的高辐射率纳米硅结构制备  

High-Emissivity Nano-scale Silicon Structure Preparation for MEMS Infrared Source

作　　者：刘卫兵[1,2] 谭秋林[1] 明安杰[2] 孙西龙[2] 毛海央[2] 岱钦[3] 张岳[3] 姚俊[3] 王玮冰[2,4] 熊继军[1] 

机构地区：[1]中北大学电子测试技术国防科技重点实验室,山西太原030051 [2]中国科学院微电子研究所智能感知研发中心,北京100029 [3]沈阳理工大学理学院,辽宁沈阳110159 [4]昆山光微电子有限公司,江苏昆山215325

出　　处：《仪表技术与传感器》2017年第6期7-10,82,共5页Instrument Technique and Sensor

基　　金：国家自然科学基金项目(61335008;61601455);国家高技术研究发展计划项目(2015AA042605);中科院-北大率先合作团队项目(XMXX201200019933);沈阳市科技计划项目(F16210600)

摘　　要：通过制备面向MEMS红外光源的高辐射率多晶硅纳米柱状结构和单晶硅纳米孔结构,以提升红外源表面辐射率,降低器件功耗。制备方法分别为反应离子刻蚀(reactive-ion-etching,RIE)及等离子浸没离子注入(plasma immerse ion implantation,PIII)工艺对单晶硅以及铝电极掩膜的多晶硅表面调控修饰制备。并对2种纳米硅结构进行了吸收率测试,对铝电极掩膜进行了引线键合破坏拉力测试。测试表明,纳米硅结构在3~5μm波段的辐射率可以达到85%以上,暴露在刻蚀气氛后的铝电极掩膜引线键合强度可以达到器件工艺要求。High emissivity nano-scale silicon nano-column structure and nano-pore structure used for MEMS infrared source were prepared to improve the surface emissivity and reduce the total power consumption.The preparation methods were react-ionetching （RIE） and plasma immerse ion implantation （PIII） techniques which were modified regulation preparation by single crystal silicon and poly silicon beneath the aluminum mask.Two kinds of nanometer silicon structure was absorption rate tested.A- luminum electrode mask for the wire bonding was tensile tested.Results show that radiation rate of nano-scale silicon structure can reach higher than 85% at 3-5 μm.Aluminum electrode mask wire bonding strength under etching atmosphere can meet the requirements of device technology requirement.

关 键 词：MEMS红外光源 硅纳米结构 高辐射率 铝掩膜 反应离子刻蚀 等离子浸没离子注入 

分 类 号：TN212[电子电信—物理电子学]