退火温度对N掺杂ZnO薄膜结构和电学性能的影响  

作　　者：赵祥敏[1] 赵文海[2] 孙霄霄[1] 张梅恒[1] 李敏君[1] 

机构地区：[1]牡丹江师范学院物理与电子工程学院 [2]黑龙江商业职业学院实训中心,黑龙江牡丹江157011

出　　处：《中国高新技术企业》2017年第4期66-67,共2页China Hi-tech Enterprises

基　　金：牡丹江市科学技术计划项目:通过退火等工艺对N掺杂ZnO薄膜的制备及其电学性能研究;项目编号为Z2016g0003

摘　　要：实验采用射频磁控溅射技术,在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜。对制备的ZnO薄膜分别在不同温度下(400℃、500℃、650℃、850℃)进行了真空条件下的退火处理,并对退火条件下的ZnO薄膜进行了结构和电学性能的研究。经研究结果表明:通过退火处理后的ZnO薄膜的生长依然是(002)择优取向,当退火温度高于650℃时实现了ZnO由n型到p型的转变。

关 键 词：ZNO薄膜 射频磁控溅射 退火温度 电学性能 退火处理 

分 类 号：O484[理学—固体物理]