过渡金属硫族化合物的制备、特性和光电应用  

Preparation,Properties and Optoelectronic Applications of Transition Metal Dichalcogenides

作　　者：谢爽[1,2] 梁涛[1,3] 马向阳[1,2] 徐明生[1,4] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027 [2]浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州310027 [3]浙江大学高分子科学与工程学系,浙江杭州310027 [4]浙江大学信息科学与电子工程学院,浙江杭州310027

出　　处：《中国激光》2017年第7期3-18,共16页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金(51472219;51672244);教育部博士点专项基金(20130101110123)

摘　　要：过渡金属硫族化合物(TMD)因其原子层级的厚度和独特的光电性能而受到了广泛的关注和研究。大量文章报道了TMD的可控制备、奇特的光电性能及其在光探测、发光、自旋和能谷电子学等光电子领域的应用。从TMD的材料制备、光电性能及光电应用三个角度对这些工作进行了总结。Due to their atomic-level thickness and unique optoelectronic properties, the transition metal dichalcogenides （TMDs） have been received widespread attention and research. The controllable preparation, novel optoelectronic properties and optoelectronic applications in many fields, such as photodetection, light emission, spin and energy valley electronics of TMD, have been reported widely. From the three perspectives of material preparation, optoelectronic properties and applications of TMD, these works are reviewed.

关 键 词：材料 过渡金属硫族化合物 制备 光电特性 光探测 发光二极管 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]