用于“超级人工大脑”的忆阻器  

作　　者：吴华强[1] 张清天 高滨[1] 邓宁[1] 钱鹤[1] 

机构地区：[1]清华大学

出　　处：《科技纵览》2017年第9期52-53,共2页IEEE Spectrum

基　　金：感谢国家自然科学基金项目“新型神经态器件阵列设计和优化”（项目编号：61674089）、国家重点研发计划课题“新型纳米存储器的材料与单元研究”（课题编号：2016YFA0201801）、北京市科技计划重点课题“三维NAND闪存机理分析及仿真平台搭建”（课题编号：D161100001716002）的支持.

摘　　要：忆阻器（Memristor）由于其读写速度快、集成密度高、成本低和可扩展性好．被认为是最有希望的下一代新兴存储器技术之一，其核心是利用电介质中缺陷的产生、迁移和恢复来存储数据。在外加电场的作用下，忆阻器的阻值会发生连续且可逆的变化．以此来存储相应的数据。

关 键 词：大脑 人工 读写速度 集成密度 可扩展性 存储数据 外加电场 存储器 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]