磁控溅射法制备Fe-Si化合物薄膜的研究  

作　　者：高伟超[1] 

机构地区：[1]陕西金泰氯碱化工有限公司,陕西榆林718100

出　　处：《陶瓷》2017年第10期35-39,共5页Ceramics

摘　　要：笔者采用磁控溅射的方法,在高真空不同的溅射气压条件下,沉积金属Fe到Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在2h和12h条件下对两组样品进行热处理,直接形成了Fe-Si化合物薄膜。采用X射线衍射仪对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究,结果表明,在溅射气压为1.0~1.5Pa,退火温度为800℃退火12h能够得到质量很好的Fe-Si薄膜,超过1.5Pa时就会朝其他的Fe-Si化合物转变,还可能有Fe和Si的氧化物生成。

关 键 词：磁控溅射 晶体结构 X射线衍射 Fe—si化合物 

分 类 号：TQ174.14[化学工程—陶瓷工业]