三星公布EUV技术7nm、11nm LPP工艺，明年开始投产  

出　　处：《中国集成电路》2017年第10期5-5,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：日前三星电子正式宣布，其将11nm FinFET工艺技术（1lnmLPP，LowPowerPlus）提上研发日程，预计将于明年推出首款采用该工艺的芯片。

关 键 词：UV技术 三星电子 工艺 LPP 投产 FINFET 芯片 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]