GLOBALFOUNDRIES推出全新的12nmFinFET技术;增强下一代汽车电子  

作　　者：戴朝典 

出　　处：《汽车电器》2017年第11期58-58,共1页Auto Electric Parts

摘　　要：GLOBALFOUNDRIES（GF）计划推出一款全新的12nm领先性能（ILLP）FinFET（鳍式场效应晶体管）半导体制造工艺,该技术有望为GF当代的14nmFinfet产品提供更好的密度和性能提升,满足从人工智能和虚拟现实到髙端智能手机和网络基础设施的最苛刻的计算密集型应用的处理要求.

关 键 词：汽车电子 技术 半导体制造工艺 场效应晶体管 网络基础设施 智能手机 虚拟现实 人工智能 

分 类 号：U463.6[机械工程—车辆工程]