ZnO材料及紫外探测器关键技术研究进展  

作　　者：阮育娇 李鹭虹 崔潼 康品春 郑鹏 蒋淑恋 

机构地区：[1]厦门市计量检定测试院

出　　处：《电子世界》2017年第23期9-11,共3页Electronics World

基　　金：国家质量监督检验检疫总局科技计划项目(2014QK020)资助

摘　　要：ZnO是一种独特的第三代半导体材料。近年来,ZnO薄膜和纳米材料以及三元ZnO基材料得到广泛研究和发展。ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性,随着ZnO材料的不断发展已成为紫外探测领域研究中的新热点之一。本文介绍了近年来国内外ZnO基紫外探测器的材料制备,界面控制和器件结构等关键技术的研究进展,指出制备高质量的薄膜以及进一步提高器件的性能是推动ZnO紫外探测器实用化进程的关键。

关 键 词：第三代半导体材料 ZNO薄膜 紫外探测器 技术 材料制备 器件结构 纳米材料 光电特性 

分 类 号：TN364.2[电子电信—物理电子学]