打破技术垄断 比亚迪自主研发碳化硅功率MOS器件  

出　　处：《半导体信息》2017年第5期3-6,共4页Semiconductor Information

摘　　要：碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境下工作,具有极低的开关损耗和高频工作能力,减小模块的体积和重量,显著提高系统的效率,有利于节能降耗,广泛应用于风光发电、光伏逆变、UPS储能、新能源汽车、航天军工等高科技领域。

关 键 词：功率MOS器件 碳化硅材料 技术垄断 自主研发 第三代半导体材料 新能源汽车 高科技领域 击穿场强 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]