功率MOS器件

作品数：23被引量：26H指数：3
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基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计
《固体电子学研究与进展》2022年第5期352-356,共5页宋迎新 马捷 侯杰 孙德福 刘进松 李泽宏 任敏 
国家重点研发计划资助项目(2006ZYGQ0203)。
为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优...
关键词：结终端扩展 埋层 高能离子注入 金属场板 击穿电压 
打破技术垄断 比亚迪自主研发碳化硅功率MOS器件被引量：1
《半导体信息》2017年第5期3-6,共4页
碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境下工作,具有极低的开关损耗和高频工作能力,减小模块的体积和重量,显著提高系统的效...
关键词：功率MOS器件 碳化硅材料 技术垄断 自主研发 第三代半导体材料 新能源汽车 高科技领域 击穿场强 
功率MOS单粒子加固设计
《决策与信息》2016年第15期279-280,共2页刘文辉 
高能粒子进入功率MOS器件后，会引起SEE（Single Event Effect）。本文对功率MOS器件的SEE效应的机理进行了分析，研究了SEE失效敏感性与器件结构的关系；最后采用LET=99 MeV/（mg/cm2）的Bi＋进行了试验，试验结果表明这种加固技术可...
关键词：功率MOS器件 单粒子 
BUY25CSXX系列：功率MOSFET
《世界电子元器件》2012年第9期35-35,共1页
英飞凌科技推出专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型（RH）功率MOS器件拥有较好的性能，可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。
关键词：功率MOSFET 功率MOS器件 电源系统 空间应用 开关器件 航空应用 加固型 抗辐射 
工业用与再生能源应用效率的新视野— 切换式电源供应(SMPS)
《电子与电脑》2010年第6期62-64,共3页Dean Henderson Christian Wald 
功率MOSFET与IGBT等其他功率MOS器件并行发展，满足了许多应用的需要。在低电压的应用中，相关器件让电源供应器与”DC／DC”转换器能够达到高效率．并让伺服与马达控制设计达到高稳定度。汽车防死锁煞车系统等高电压的应用中，相关器...
关键词：电源供应器 应用 再生能源 功率MOS器件 切换式 工业用 功率MOSFET 视野 
沟槽功率MOS器件的多晶Si填槽工艺研究被引量：3
《半导体技术》2010年第4期365-368,共4页秦晓静 周建伟 康效武 
介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了...
关键词：集成电路 沟槽 功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管 多晶硅 晶粒 栅极 
大功率电源MOS管的特性及应用被引量：3
《上海计量测试》2005年第6期28-29,共2页沈昂 
引言 在当今的开关电源设备中,当电源电压在200V以下时,主开关功率器件一般都使用功率MOS器件.所以深入了解功率MOS器件的内部结构和工作特性对开关电源工程师来说至关重要.开关电源电路中MOS管的结构,寄生参数,散热条件等都会对功率MO...
关键词：功率MOS管 大功率电源 特性 功率MOS器件 开关电源电路 开关功率器件 应用 内部结构 工作性能 电源电压 
汽车用功率MOS器件品种及市场
《中国电子商情（元器件市场）》2005年第5期16-19,共4页成龙 
电子技术几乎全面深入发展到汽车各个控制系统及零部件中，各种新型电子控制装置更广泛地应用于汽车，今后十年内，汽车电子及相关产品平均在整车成本的比例将从目前的20％上升到32％，其发展速度从10％提高到20％，导致电子负载年增100W。
关键词：功率MOS器件 汽车用 市场 品种 电子控制装置 控制系统 电子技术 相关产品 汽车电子 发展速度 100W 电子负载 零部件 
飞利浦功率MOS器件系列
《世界电子元器件》2004年第9期82-82,85,共2页
飞利浦半导体是世界上知名的半导体公司之一.它的产品多种多样,能用在各种不同的领域如有线和无线通信、淌费类多媒体产品、汽车电子、计算机系列产品以及工业和家用电器.飞利浦半导体的功率MOS器件系列由于其高效率,更低的损耗和更小...
关键词：MOS器件 飞利浦 无线通信 功率 能带 半导体公司 有线 产品 消费 工业 
功率MOS、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究被引量：3
《核电子学与探测技术》2001年第5期344-347,共4页唐本奇 王燕萍 耿斌 
;国防预研基金项目
建立了利用2 52 Cf裂片源 ,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置 ,开展了功率 MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究 ,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值 。
关键词：航天器 卫星 电子系统 抗辐射 加固 功率MOS器件 IBGT 单粒子烧毁 单粒子栅穿 模拟试验 辐射损伤 
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