侯杰

作品数：2被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：济南市半导体元件实验所更多>>
发文主题：二极管表面贴装高可靠平行缝焊封装工艺更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计
《半导体技术》2022年第12期965-971,共7页王迎春 马捷 侯杰 刘进松 罗蕾 任敏 李泽宏 
国家重点研发计划资助项目(2006ZYGQ0204)。
雪崩耐量是表征超结双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ-DMOSFET)可靠性的重要指标。寻找提高SJ-DMOSFET雪崩耐量的方法一直是学术界和产业界的研究热点。通过对SJ-DMOSFET器件-电路联合仿真,深入分析了非钳位感性开关(UIS)过程中...
关键词：超结 雪崩耐量 元胞 终端区 击穿电压 
基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计
《固体电子学研究与进展》2022年第5期352-356,共5页宋迎新 马捷 侯杰 孙德福 刘进松 李泽宏 任敏 
国家重点研发计划资助项目(2006ZYGQ0203)。
为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优...
关键词：结终端扩展 埋层 高能离子注入 金属场板 击穿电压 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部