功率封装技术的发展推动宽禁带半导体加速在数据中心能源供应、无线充电和能量收集领域的应用  

出　　处：《半导体信息》2017年第5期7-9,共3页Semiconductor Information

摘　　要：宽禁带（WBG）功率器件的进步正在推动碳化硅和氮化镓器件的发展。与传统半导体器件相比,碳化硅和氮化镓器件可在更高的电压和温度下运行,还可以较低的转换损耗实现更快速地转换。新的碳化硅和氮化镓解决方案和进展在以下三个领域应用尤其如此：数据中心、无线充电和能量采集。每个应用领域都以不同方式推动宽禁带功率器件的发展,衍生出各种产品。

关 键 词：宽禁带半导体 功率器件 数据中心 能源供应 封装技术 应用 能量收集 充电 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]