600V超接面功率模块简化马达驱动电路设计  

出　　处：《半导体信息》2017年第5期16-17,共2页Semiconductor Information

摘　　要：600V超接面MOSFET可大幅提升设备效能,采用分别的发射极开路输出设计,并可简化PCB板单路或三路Shunt电流监视走线。意法半导体（STMicroelectronics,ST）新推出的SLLIMM-nano智能功率模块（Intelligent Power Module,IPM）导入新封装类型,并整合更多组件,加快300W以下低功率马达驱动器研发,简化组装过程。3A和5A模块内建最先进的600V超接面MOSFET.

关 键 词：智能功率模块 驱动电路设计 马达驱动器 MOSFET Module 意法半导体 Power 设备效能 

分 类 号：TP216[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]