一种基于碳纳米管的随机存储器  

A carbon nanotube-based novolatile random access memory

作　　者：孙劲鹏[1] 王太宏[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《物理学报》2002年第9期2096-2100,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究专项经费 (批准号:G2 0 0 1CB3 0 95 );国家自然科学基金(批准号 :6992 5 410和 1990 40 15 )资助的课题~~

摘　　要：利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力 ,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器 ,研究了系统的双稳性 ,讨论了存储器的优点和可行性 。We have designed a carbon nanotube - based novolatile random access memory, which is proved to be a bistable memory. We analyze the advantage and feasibility of the memory. The basic parameters of a good memory are also calculated in this paper.

关 键 词：碳纳米管 范德瓦耳斯力 动态随机存储器 双稳性 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]