加强宽禁带半导体材料的研发与应用  

作　　者：屠海令[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院,北京100088

出　　处：《科技导报》2017年第23期1-1,共1页Science & Technology Review

摘　　要：宽禁带（一般指禁带宽度〉2.3 e V）半导体材料的研发与应用方兴未艾,正在掀起新一轮的热潮;其中碳化硅（Si C）和氮化镓（Ga N）以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、

关 键 词：宽禁带半导体材料 应用 研发 禁带宽度 转化能力 功率特性 能量损耗 性能稳定 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]