上海交大提出自组装单分子膜掺杂技术新方向  

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作  者:新型 

出  处:《化工新型材料》2018年第2期276-276,共1页New Chemical Materials

摘  要:上海交通大学密西根学院但亚平课题组研究发现,自组装单分子膜掺杂会在硅衬底引入碳缺陷,从而降低硅中磷杂质的电学激活率。研究人员由此提出了自组装单分子膜掺杂技术的研究方向,为发展无缺陷态的单分子膜掺杂技术奠定了基础。相关成果日前发表于《自然一通讯》杂志。

关 键 词:自组装单分子膜 掺杂技术 上海交大 上海交通大学 研究人员 缺陷态 课题组 硅衬底 

分 类 号:O649[理学—物理化学]

 

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