检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:孙俊岳 Sun Junyue(Dialog Semiconductor(Tianjin) Limited Company, Tianjin 300457, China)
机构地区:[1]戴泺格集成电路(天津)有限公司,天津300457
出 处:《电子技术应用》2018年第5期36-38,共3页Application of Electronic Technique
摘 要:阐述了在Latch-up测试中负电流的产生机理,以及芯片内部寄生双极晶体管对负电流的连锁反应机理,并以模拟电压缓冲器和线性稳压器为例分析了负电流对芯片可能造成的影响,最后提出了一系列在芯片内部可以采取的防护措施。Described the generation theory of negative voltage and negative current in Latch-up test and the theory of chain reac-tion caused by inner parasitic bipolar transistor. Then analyzed the influence of negative current in chip level with examples of ana-log voltage buffer and LDO. Finally, proposed a series of action list of how to protect negative current in chip level.
关 键 词:LATCH-UP 负电流 模拟电压缓冲器 线性稳压器
分 类 号:TN433[电子电信—微电子学与固体电子学]
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