扫描干涉场曝光中光栅掩模槽形轮廓的预测  被引量:1

Groove Profile Prediction of Grating Masks in Scanning Beam Interference Lithography

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作  者:鲁森[1,2] 杨开明[1,2] 朱煜[1,2] 王磊杰[1,2] 张鸣[1,2] Lu Sen;Yang Kaiming;Zhu Yu;Wang Leijie;Zhang Ming(state Key Laboratory of Tribology, Department of Mechanical Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China;Beijing Key Laboratory of Precision/Ultra-Precision Manufacturing Equipment and Control, Tsinghua University, Beijing 100084, China)

机构地区:[1]清华大学机械工程系摩擦学国家重点实验室,北京100084 [2]清华大学精密超精密制造装备及控制北京市重点实验室,北京100084

出  处:《光学学报》2018年第5期28-34,共7页Acta Optica Sinica

基  金:国家科技重大专项(2012ZX02702-006)

摘  要:根据扫描干涉场曝光的特点,针对光刻胶层内曝光量的驻波效应,建立了动态曝光模型。基于快速推进法建立了显影模型,得到了光栅掩模槽形的演变规律。为减弱驻波效应的影响,提出了一种抗反射层最优厚度的设计方法。仿真结果表明,建立的曝光和显影模型能有效预测光栅掩模的槽形轮廓,同时可优化抗反射膜的厚度。Based on the characteristics of scanning beam interference lithography(SBIL),the dynamic exposure model is established for the standing wave effect of the exposure in the photoresist layer.Based on the fast marching method,the development model is established and the evolution rule of grating mask grooves is obtained.In order to reduce the influence of the standing wave effect,a design method for the optimal thickness of anti-reflective coatings(ARCs)is proposed.The simulation results show that the established exposure and development models can effectively predict the groove profile of the grating masks,and optimize the thickness of ARCs simultaneously.

关 键 词:光栅 扫描干涉场曝光 曝光模型 显影模型 快速推进法 驻波效应 

分 类 号:O436.1[机械工程—光学工程]

 

参考文献:

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