基于低压化学气相沉积方法的二维六方氮化硼薄膜制备  

作　　者：李骁霖 

机构地区：[1]陆军装甲兵学院

出　　处：《神州》2018年第16期236-236,共1页

摘　　要：六方氮化硼薄膜研究目前尚处于基础阶段,其制备方法尚不成熟.本文主要介绍了采用化学气相沉积（CVD）工艺,以环硼氮烷（Borazine）为先驱体,以Cu为衬底,得到结晶度高、尺寸大并且厚度均匀的六方氮化硼薄膜的制备过程,以及转移过程.

关 键 词：六方氮化硼薄膜 化学气相沉积 制备方法 转移过程 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]