少层二硒化铼场效应晶体管的电输运特性  

作　　者：田学伟 王永生[1] 张璐[1] 刘安琪 何大伟[1] 

机构地区：[1]北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息教育部重点实验室

出　　处：《中国科技信息》2018年第13期98-100,共3页China Science and Technology Information

基　　金：基于石墨烯的光调制器关键技术的研究(国家自然科学基金)项目号(61335006);超高分辨率的瞬态吸收显微与量子掏空系统(国家自然科学基金)项目号(61527817);基于高质量石墨烯的叠层光伏器件的制备及其性能研究(国家自然科学基金)项目号(61378073)

摘　　要：我们通过使用光学对比度发现了单层ReSe2的光学对比度为6.46%.通过光学显微镜、拉曼光谱、光致发光光谱和原子力显微镜来表征ReSe2样品的光学性质.此外,制备基于机械剥离的少层ReSe2的场效应晶体管（FET）并测试其输出和转移特性曲线研究其电输运特性.ReSe2场效应晶体管的载流子迁移率达到4.7cm^2/（V·s）,电流开关比为10^4,表现出n型特性.

关 键 词：场效应晶体管 电输运特性 光学显微镜 硒化 原子力显微镜 光致发光光谱 载流子迁移率 转移特性曲线 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]