MaCE法下硅纳米结构影响因素综述  

作　　者：王志权 

机构地区：[1]杭州电子科技大学机械工程学院,杭州310018

出　　处：《山东工业技术》2019年第1期71-71,共1页Journal of Shandong Industrial Technology

摘　　要：近年来,国内外学者对硅纳米线的制备方面进行了一系列的研究,得出了很多建设性的成果。本文对现行最流行的金属辅助化学刻蚀法(Metal-assisted chemical etching-MaCE)进行了研究。主要研究了金属催化剂(类型、形状、距离)和单晶硅特性(硅衬底方向、掺杂水平)对单晶硅纳米结构的形貌及刻蚀速率的影响进行了综述。

关 键 词：金属辅助化学刻蚀法 金属催化剂 单晶硅特性 形貌结构 刻蚀速率 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程] TN305.7[电子电信—物理电子学]