2-GHzCMOS射频低噪声放大器的设计与测试  

Design and Test of 2-GHz CMOS RF Low Noise Amplifier

作　　者：林敏[1] 王海永[1] 李永明[1] 陈弘毅[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《电子学报》2002年第9期1278-1281,共4页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家重点基础研究专项基金(NO.G2000036508)

摘　　要：本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端（Front-end）的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.04GHz的中心频率上,3dB带宽约为 110MHz,功率增益为 22dB,NF小于 3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合.Design and test of a 2-GHz RF low noise amplifier(LNA)implemented with CMOS technology is presented here. Measurement results show this amplifier works well centered at 2.04GHz frequency,with a 22dB forward power gain(S21)and a noise figure(NF) less than 3.3dB.It has a fairly wide 3-dB bandwidth which is 110MHz,suitable for most portable wireless applications.

关 键 词：CMOS射频集成电路 低噪声放大器 噪声 无线通信 

分 类 号：TN92[电子电信—通信与信息系统] TN722[电子电信—信息与通信工程]