热传导型半导体瞬态问题特征变网格有限元法及其分析  

Moving grid finite element method along characteristics for semiconductor device of heat conduction

作　　者：杨青[1] 

机构地区：[1]山东大学数学与系统科学学院,山东济南250100

出　　处：《高校应用数学学报（A辑）》2002年第3期353-362,共10页Applied Mathematics A Journal of Chinese Universities(Ser.A)

基　　金：国家自然科学基金 (1 9972 3 0 9) ;国家教育部博士点基金

摘　　要：热传导型半导体器件的瞬时状态由四个方程的非线性偏微分方程组的初边值问题所决定 .其中电子位势方程是椭圆型的 ,电子和空穴浓度方程是对流扩散型的 ,温度方程为热传导型的 .本文提出解这类问题的特征变网格有限元法 ,并进行了理论分析 ,在一定条件下 ,得到了某种意义下的最佳 L2误差估计结果 .The momentary state of a semiconductor device of heat conduction is de\|scribed by a system of four nonlinear partial differential equations:for electrostatic potential——an elliptic equation,for electrons and holes density——two parabolic equations while for temperature——an equation of heat conduction type.In this paper a time\|dependent variable grid finite element method is introduced and analysed to treat this kind of problems.In some sence,the optimal convergent order in L\+2 is obtained with some minor constraints.$$$$

关 键 词：瞬态问题 变网格 有限元法 热传导型半导体器件 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学] O241.82[理学—计算数学]