导电性电子束抗蚀剂  

作　　者：华彬 

出　　处：《化工新型材料》1989年第8期40-41,共2页New Chemical Materials

摘　　要：随着集成电路图形的微细化,具有微细图形描绘能力的电子束曝光益显重要。这种技术可用于光掩膜、中间掩膜、不能用光曝光来形成微细图形的GaAs器件和Si器件的制作,以及特定用途的集成电路(ASIC)的制作等方面。电子束在曝光过程中,当所描绘的目的物是绝缘或近于绝缘材料时,由于描绘时带电,所以存在电子束照射点偏移,描绘图形精度降低等缺点,如造成变形。即使是Si基板上的多层抗蚀剂,也会因多层抗蚀剂中残留的入射电子而使其图形精度下降。为了防止带电,传统的作法是在抗蚀剂表面和多层抗蚀剂之间形成金属Si等导电膜,以放出电荷。

关 键 词：电子束 导电性 抗蚀剂 集成电路 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]