Influence of Fe Doping Concentration on Some Properties of Semi-Insulating InP  

掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响(英文)

作　　者：赵有文[1] 罗以琳[2] 冯汉源[3] C.D.Beling 林兰英[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京100083 [2]汕头大学物理系,汕头515000 [3]香港大学物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第10期1041-1045,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：Properties of Fe-doped semi-insulating (SI) InP with different iron concentrations are studied by using Hall effect,current-voltage ( I-V ),photoluminescence spectroscopy (PL) and photocurrent spectroscopy(PC)measurements. I-V characteristics of SI InP strongly depend on Fe doping concentration.Fe doping concentration also influences optical properties and defective formation in as-grown SI InP.Band-gap narrowing phenomenon and defects in Fe doped SI InP are studied using PL and PC.利用霍尔效应、电流 电压 (I V)、光致发光谱 (PL)和光电流谱 (PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质 .半绝缘InP的I V特性明显地依赖于掺铁的浓度 .掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响 .用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷 .

关 键 词：INP semi-insulation DEFECTS 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]