电子束曝光制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)纳米级桥宽双晶结  

FABRICATING YBCO NANOSCALE MICROBRIDGE JUNCTION BY ELECTRON BEAM

作　　者：花涛[1] 许伟伟[2] 熊焰明 王青云[1] 余辉龙[1] 梁瑞宇[1] 沈卫康[1] 

机构地区：[1]南京工程学院通信工程学院,南京211167 [2]南京大学超导电子学研究所,南京210093 [3]江苏伊施德创新科技有限公司,江苏无锡214028

出　　处：《低温物理学报》2015年第6期435-438,共4页Low Temperature Physical Letters

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61501222);南京工程学院校级科研基金(批准号:YKJ201321;ZKJ201202;YKJ201322)资助的课题~~

摘　　要：传统的紫外线曝光难以制备微桥宽度不超过1微米的双晶约瑟夫森结.我们利用电子束曝光技术制备了纳米级别(几百纳米)桥宽YBa_2Cu_3O_(7-δ)双晶结,具有优良的电流-电压特性和微波响应特性.并分析60K温度下100纳米膜厚的双晶结微桥宽度的变化对结正常态电阻R_N、超导临界电流I_c、特征电压I_cR_N的影响规律.通过考虑结与外部微波电路的阻抗匹配、结检测太赫兹波灵敏度、超导电流大小对高次微波响应台阶影响以及结的特征电压四个因素,得到最佳的太赫兹波检测器中双晶结的微桥宽度为1微米左右.Using traditional ultraviolet exposure is hard to fabricate bicrystal junction with microbridge less than 1μm.We use electron beam to fabricate YBa_2Cu_3O_(7-δ) nanoscale microbridge bicrystal junction,which has perfect I^Vcharacter and microwave response character.We analyze the relationship of the width of microbridge with the normal state resistance RN,the critical current Ic,and the characteristic voltage IcRN on 60 K.By consideration the impedance matching,the detection sensitivity,the microwave response step and the characteristic voltage,we find the best microbridge width of bicrystal junction in THz detector is about 1μm.

关 键 词：纳米级桥宽约瑟夫森双晶结 电子束曝光 太赫兹 晶界微桥宽度 

分 类 号：O611.4[理学—无机化学]