一种基于碳纳米管的随机存储器  

A carbon nanotube-based random access memory

作　　者：孙劲鹏[1] 王太宏[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《微纳电子技术》2002年第10期8-13,26,共7页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家重点基础研究专项经费(69925410);国家自然科学基金资助的课题(19904015)

摘　　要：随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限。为了解决传统存储器件发展遇到的困难,利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储器的优点和可行性,并认为系统具有良好存储效应所应满足的条件。Further progress of the conventional memories is very much in doubt ,mostly because of problems with scaling down memory cells.We have designed a carbon nanotube-based random access memory,which is proved to be a bistable memory.The advantage and feasibility of the memory are analyze d.The basic parameters of a good memory are also calculated in this paper.

关 键 词：碳纳米管 随机存储器 范德瓦耳斯力 动态随机存储器 化学汽相沉积 

分 类 号：TP333.8[自动化与计算机技术—计算机系统结构]