低应力立方氮化硼薄膜及其制备装置和制备方法  

出　　处：《表面技术》2002年第5期69-69,共1页Surface Technology

关 键 词：专利 吉林大学 低应力 立方氮化硼薄膜 制备装置 制备方法 物理气相沉积方法 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]