Mn在Si(100)表面化学吸附电子结构的研究  

Adsorption of Mn on Si(100) Surface

作　　者：危书义[1] 马丽[1] 戴现起[1] 汪建广[1] 

机构地区：[1]河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453002

出　　处：《河南师范大学学报（自然科学版）》2002年第4期47-50,共4页Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：河南省自然科学基金资助项目 (编号 :0 1110 5 10 0 0 ) ;校青年基金资助 (编号 :990 70 2 4 )

摘　　要：用TB—LMTO方法研究单层Mn原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Mn原子在不同位置的吸附能 .结果表明 ,Mn原子在C位 (四重位 )吸附最稳定 ,在Mn/Si(10 0 )界面存在Mn、Si混合层 .The adsorption of one monolayer Mn atoms on an ideal Si(100) surface is studied by using the self-consistent tight-binding linear muffin-tin orbital method. Adsorption energies of a Mn atom on different sites are calculated. It is found that the adsorbed Mn atoms are more favorable on four-fold site (C) than any other sites on Si(100)surface and a Mn, Si mixed layer might exist at Mn/Si(100) interface. The charge transfer and the layer projected density of states are also studied.

关 键 词：MN SI(100)表面 化学吸附 电子结构 层投影态密度 锰 电子转移 TB-LMTO方法 

分 类 号：O647.32[理学—物理化学]