SI(100)表面

作品数：23被引量：22H指数：3
导出分析报告
相关领域：理学电子电信更多>>
相关作者：危书义汪建广马丽申灿董树忠更多>>
相关机构：复旦大学河南师范大学北京大学华南理工大学更多>>
相关期刊：《物理化学学报》《真空科学与技术学报》《激光与光电子学进展》《云南大学学报（自然科学版）》更多>>
相关基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金河南省自然科学基金河南省高校青年骨干教师资助项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Se超薄层钝化Si(100)表面与金属Al、Pt的接触特性
《黎明职业大学学报》2018年第1期86-90,96,共6页潘书万 庄琼云 郑力新 
福建省自然科学基金面上项目(2015J01655);福建省教育厅基金项目(A类)(JA14025,JA13429);华侨大学科研基金资助项目(12BS226)
采用超高真空气相沉积系统外延硒(Se)超薄层钝化Si(100)表面,研究其与金属铝(Al)、铂(Pt)的接触特性。对于Al与Se钝化后的Si接触样品,其肖特基势垒高度(SBH)值为0.2 e V,相比于HF处理的样品,SBH降低了一半;随着退火温度从200℃升至500℃...
关键词：金半接触 硒 钝化 肖特基势垒高度 
Si(100)表面S钝化效果与稳定性研究被引量：2
《人工晶体学报》2014年第7期1657-1661,共5页李峰 杨莺 李碧珊 陈进 邢青青 侯志斌 
国家自然科学基金(51207128;51177134);陕西省教育厅基金(00K1310)
基于Valence-Mending概念对Si(100)表面进行S钝化研究。对于Ni/n-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.09 eV;对于Al/p-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.08 eV。少子寿命测试结...
关键词：S钝化 肖特基势垒 少子寿命 稳定性 抗氧化性 
羰基化合物在Si(100)表面[2+2]环加成和α-H裂解反应的选择性(英文)被引量：2
《物理化学学报》2012年第8期1849-1853,共5页张继超 程学礼 程玉桥 孟祥华 刘永军 刘成卜 
supported by the National Natural Science Foundation of China (21173129)~~
最近研究表明:丙酮能与半导体Si(100)表面发生[2+2]环加成和α-H裂解反应形成相应的Si―C键或Si―O键,在半导体材料的合成方面具有重要意义.为进一步弄清不同羰基化合物在Si(100)表面的反应机理,本文应用密度泛函理论方法在B3LYP/6-311+...
关键词：密度泛函理论:环加成反应:α-H裂解反应:羰基化合物 
Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用被引量：2
《物理学报》2011年第9期712-716,共5页潘书万 亓东峰 陈松岩 李成 黄巍 赖虹凯 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:61036003和60837001);福建省自然科学基金(批准号:2008J0221);福建省教育厅科技项目(批准号:JB08215)资助的课题~~
本文采用分子束外延(MBE)系统在Si(100)表面淀积Se薄膜.通过控制衬底和固态Se束源炉的温度,实现了Se材料在Si(100)表面上的自限制超薄薄膜生长;在Se超薄层钝化的Si(100)表面上制备的Ti金属电极具有低的欧姆接触电阻特性,且热稳定性温度...
关键词：硒 钝化 欧姆接触 热稳定性 
低能Cl原子刻蚀Si(100)表面的分子动力学模拟被引量：1
《物理学报》2011年第4期406-411,共6页贺平逆 宁建平 秦尤敏 赵成利 苟富均 
贵州省优秀青年科技人才培养计划(批准号:700968101);国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(批准号:2009GB104006)资助的课题~~
使用分子动力学模拟方法研究了不同能量(0.3—10eV)的Cl原子对表面温度为300K的Si(100)表面的刻蚀过程.模拟中采用了Tersoff-Brenner势能函数来描述Cl-Si体系的相互作用.模拟结果显示,随着入射Cl原子在表面的吸附达到饱和,Si表面形成一...
关键词：分子动力学 Cl刻蚀Si 分子动力学模拟 微电子机械系统 
铟吸附氢钝化Si(100)表面的结构和稳定性研究被引量：1
《江西师范大学学报（自然科学版）》2010年第6期609-611,共3页李玉山 
山东省自然科学基金(Y2008A16);菏泽学院自然科学基金(XY08WL02;XY09WL02)资助项目
采用第一性原理理论研究了In吸附氢钝化的Si(100)面的结构和稳定性.对In原子吸附结构的计算表明不同的重构表面其吸附结构也是不同的:In在H/Si(100)-(2×1)面的吸附能高于In在H/Si(100)-(1×1)面的吸附能;由于氢原子对硅表面的钝化作用...
关键词：重构 氢钝化 铟吸附 吸附能 
SrO/Si(100)表面去氧过程的研究被引量：2
《物理学报》2010年第5期3357-3361,共5页杜文汉 
国家自然科学基金(批准号:50721091;10825415;60771006和50532040)资助的课题~~
借助高温扫描隧道显微镜和光电子能谱技术,深入研究了SrO/Si(100)表面向Sr/Si(100)再构表面的动态转化过程.Sr/Si(100)再构表面在硅基氧化物外延生长中起重要作用.在该动态转化过程中,样品在500℃的退火温度下,表面出现SrO晶化的现象;在...
关键词：SrO/Si表面 Sr/Si表面 扫描隧道显微镜 去氧过程 
锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长
《功能材料与器件学报》2009年第6期564-568,共5页孙静静 邹志强 王丹 赵明海 陈礼 
上海市科委基础研究重点项目(No.07JC14026)
采用超高真空分子束外延-扫描隧道显微镜(UHVMBE-STM)系统研究了不同温度下锰及其硅化物在Si(100)-2×1重构表面上的外延生长情况。实验结果表明当生长过程中衬底温度控制在室温到135℃时,生成大小基本一致的锰纳米团簇;当衬底温度达到...
关键词：扫描隧道显微镜(STM) Si(100)-2×1重构表面 纳米线 棒状物 三维岛状硅化物 
Ta2O5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究
《高等学校化学学报》2009年第11期2279-2283,共5页任杰 周广芬 郭子成 张卫 
国家自然科学基金(批准号:20973052,60776017);河北科技大学杰出青年基金(批准号:2006JC-3)资助
采用密度泛函方法研究了以TaC l5和H2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD)Ta2O5的初始反应机理.Ta2O5的原子层沉积过程包括两个连续的"半反应",即TaC l5和H2O"半反应".两个"半反应"都经历了一个相似的吸附中间体反应路径.通过H钝化和羟...
关键词：密度泛函理论 原子层沉积 氧化钽 
基于H-Si(100)表面上原子层沉积Al2O3的仿真研究被引量：4
《真空科学与技术学报》2009年第2期125-129,共5页申灿 黄光周 马国欣 叶位彬 朱建明 戴晋福 
通过对原子层沉积过程的计算机仿真,分析不同沉积条件对沉积过程的影响。以H-Si(100)表面原子层沉积Al2O3的过程为基础,通过分析基片上不同表面功能团之间的相互作用,将整个沉积过程分为初始沉积和后续生长两个阶段。基于不同的阶段建...
关键词：原子层沉积 计算机仿真 三氧化二铝 生长速率 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部