电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积  

作　　者：王江山 谭正[1] 糜天英[1] 孙公权 

机构地区：[1]中国科学院长春应用化学研究所,长春130022 [2]通化师范学院化学系,通化134002

出　　处：《中国科学（B辑）》1991年第6期583-589,共7页Science in China(Series B)

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：研究了含Cu^(2+),In^(3+),HSeO_2^+等离子的酸性电解液中CuInSe_2的电沉积过程.对电沉积条件进行了优化选择,对电沉积机理进行了探讨.对钛基底上的沉积膜的物性和结构分析表明,沉积膜的结晶性良好,颗粒均匀而连续,为多晶黄铜矿型结构.在多硫氧化还原电对液中,用这种沉积膜制成的光电化学电池具有明显的光响应.

关 键 词：电沉积 CUINSE2 薄膜 光电化学 

分 类 号：O644.11[理学—物理化学]