掺杂Os_(1-x)M_xSi_2(x=0.0625)(M=Re、Ir)的电子结构研究  

作　　者：李旭珍[1] 刘丙金 

机构地区：[1]杨凌职业技术学院,陕西杨凌712100 [2]中航工业西安航空计算技术研究所,陕西西安710065

出　　处：《科技风》2016年第15期13-14,共2页

摘　　要：本文采用基于密度泛函理论的赝势平面波的方法,对OsSi_2晶胞的理论模型分别掺入Re和Ir原子,并对掺杂后的电子结构进行了理论计算。理论计算结果显示:1)Re和Ir两种杂质的掺入都使得OsSi_2晶胞的体积有所改变,造成了晶格畸变;2)系统总能量的计算表明Re、Ir掺杂时倾向于置换OsSi_2的OsII位置;Re的掺入使得OsSi_2的费米面向价带移动,形成了P型半导体;而掺Ir则使得OsSi_2的费米面向导带移动,形成了N型半导体。

关 键 词：掺杂OsSi2 电子结构 

分 类 号：O471.5[理学—半导体物理]