光刻胶聚硅氧烷和硅倍半氧烷树脂的合成  

作　　者：冯心奕 刘运 周元基 向容 孙逊运 

机构地区：[1]潍坊市第一中学,山东潍坊261205 [2]潍坊星泰克微电子材料有限公司,山东潍坊261205

出　　处：《化工管理》2017年第24期59-59,共1页Chemical Engineering Management

基　　金：国家火炬计划项目子课题(No.2014GH711101)

摘　　要：介绍了用于高硅光刻胶的聚硅氧烷和硅倍半氧烷树脂的合成方法。探讨了温度、时间、搅拌等条件对合成结构的影响。该合成方法可操作性强,工艺简单成本较低。合成得到的聚硅氧烷和硅倍半氧烷树脂适合用于光刻胶原料,抗蚀性能非常优异。

关 键 词：聚硅氧烷 聚硅倍氧半烷 光刻胶 刻蚀性能 

分 类 号：TQ324.21[化学工程—合成树脂塑料工业]