Mo掺杂VO2薄膜生长及器件制备  

作　　者：余韵 

机构地区：[1]东华理工大学机械与电子工程学院

出　　处：《电子世界》2018年第20期164-165,共2页Electronics World

摘　　要：引言:Mo掺杂VO2薄膜,是现代化工生产探究的代表,它具有基础性、引导性、以及创新开发性特征,在现代电子产业、化工产业开发中,占有不可忽视的地位。基于此,本文结合化学气相沉积法,对Mo掺杂VO2薄膜生长过程进行探究,并归纳常见Mo掺杂VO2薄膜器件制备的方法应用要点,以达到充分发挥Mo掺杂VO2薄膜资源优势,为现代化工资源综合开发提供借鉴的目的。VO2薄膜,是一种热致变相变材料,它是由高温金红石、金属单斜半导体机构逆转生成的机体结构,该类材料具有强激光刺激性、光电供应性强的特征。随着该类物质开发范围逐步扩大,VO2薄膜产品的掺杂与转换,逐渐成为资源开发的主要趋向,并成功的与现代化工生产有机结合在一起,成为打造新化工产业的主要研究对象。

关 键 词：VO2薄膜 Mo掺杂 薄膜器件 薄膜生长 制备 化学气相沉积法 化工生产 资源综合开发 

分 类 号：TQ086[化学工程]