GaN基高电子迁移率晶体管研究进展  

作　　者：任舰 

机构地区：[1]淮阴师范学院计算机科学与技术学院,江苏淮安223300

出　　处：《科技资讯》2018年第24期14-15,17,共3页Science & Technology Information

基　　金：江苏省高等学校自然科学研究面上项目(项目编号:17KJB510007)

摘　　要：由于氮化镓(GaN)材料具有禁带宽度大、击穿电场强、饱和电子漂移速度高等优异的物理特性,GaN基功率电子器件逐渐取代硅基电子器件在高温、高压与高频等领域的应用。目前,由GaN及其合金材料制备的高电子迁移率晶体管(HEMT)是电力电子、无线通信和雷达等领域的核心器件。除此之外,利用GaN基HEMT可制备高灵敏度的检测器件,在生物和光电检测领域的应用也越来越广泛。但是,尽管GaN基HEMT的性能正不断取得突破,该器件的规模化应用仍受到电学可靠性问题的限制,本文重点阐述了GaN基HEMT的研究进展以及存在的电学可靠性问题。

关 键 词：GAN 高电子迁移率晶体管 可靠性 

分 类 号：TP211[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]