现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制  

Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFET gate drivers

作　　者：Bernhard Strzalkowski 

机构地区：[1]ADI公司

出　　处：《电子产品世界》2019年第5期31-35,共5页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。

关 键 词：IGBT MOSFET 栅极驱动器 耐受性 隔离 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学] TN386