磁偏转电子束蒸发源的研发  

作　　者：马自达 陈欣 吴祖光 臧侃[1] 郭方准[1] 

机构地区：[1]大连交通大学先进装备技术研究所,辽宁大连116028

出　　处：《科学技术创新》2019年第8期129-130,共2页Scientific and Technological Innovation

摘　　要：本文介绍了自主研发的磁偏转电子束蒸发源,主要构造有电子束发射及偏转组件、水冷组件和坩埚换位组件等,设备集成在6英寸的超高真空刀口法兰上,可安装3个坩埚。整体构造通过CST粒子仿真软件进行了优化设计。该蒸发源可发射电子,并通过对电子的加速、偏转和聚焦实现对固体源材料的轰击加热。电子束能量最高为40keV,可用于蒸发几乎所有的金属材料。测试结果显示,坩埚温度和电子束电流成正比例对应关系,蒸发速率稳定,各项性能指标达到设计要求。

关 键 词：薄膜 蒸发源 CST仿真 磁偏转 超高真空 

分 类 号：TN305.8[电子电信—物理电子学]