日本IGBT门极驱动模块  

作　　者：张秀澹 

机构地区：[1]电力电子专业协会,西安710002

出　　处：《半导体技术》1992年第1期24-27,33,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：IGBT绝缘门极双极晶体管的门极驱动电路很多,分立式驱动电路既实用又经济,但要求达到预期的性能尚较困难,尤其是由于IGBT内寄生晶体管和寄生电容的存在,门极驱动与损坏时脉宽的关系(+V_G损坏时脉宽变窄)等原因,驱动电路的设计考虑门极信号受主电流的影响,这种影响将使负载短路波形变差。而驱动模块具有良好的驱动性能。下面简单介绍东芝公司生产的与本公司IGBT配套使用的TF1205、TF1206驱动模块和富士开发的IGBT驱动模块,以供国内设计和生产IGBT驱动模块时参考使用。

关 键 词：双极 晶体管 驱动模块 IGBT门级 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]