SOZ膜结晶质量的研究  

作　　者：陈庆贵[1] 高培德[1] 褚卫兵 史日华 孙克怡 董奇伟 董荣康 

机构地区：[1]中国科学院传感技术联合开放国家实验室上海冶金研究所,上海200050

出　　处：《半导体技术》1992年第5期35-37,56,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：研究了预处理工艺对SOZ膜结晶质量的影响。用SEM、AES,SIMS及TEM技术分析其原因。结果表明,预处理工艺以1200～1250℃、60～120分为好。

关 键 词：SOZ膜 结晶 质量 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]